CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>陶瓷巨介电常数来源的研究
采用固相反应法在1055<sup>1</sup>095℃制备了CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>电介质陶瓷材料（以下简称CCTO）,并研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷介电性能的变化,优化出了最佳制备CCTO陶瓷的工艺参数。利用XRD技术研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷立方钙钛矿结构的晶格常数的演变过程,通过观察SEM证明了CCTO陶瓷的巨介电常数和晶粒尺寸大小成正比例,最后结合阻抗谱分析技术证明了CCTO陶瓷的低频介电损耗主要由晶界电阻决定,而晶粒电阻的大小直接影响着CCTO陶瓷的巨介电常数,因此推断出CCTO陶瓷的巨介电常数应该起源于晶粒...
Gardado en:
| Principais autores: | , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Chinês |
| Publicado: |
Editorial Department of Insulators and Surge Arresters
2017-01-01
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| Series: | Dianci bileiqi |
| Assuntos: | |
| Acceso en liña: | http://www.dcblq.com/thesisDetails#10.16188/j.isa.1003-8337.2017.02.018 |
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