Electrical Contacts on Silicon Nanowires Produced by Metal-Assisted Etching: a Comparative Approach

Abstract Silicon nanowires fabricated by metal-assisted chemical etching can present low porosity and a rough surface depending on the doping level of the original silicon wafer. In this case, wiring of silicon nanowires may represent a challenging task. We investigated two different approaches to r...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	L. D’Ortenzi, R. Monsù, E. Cara, M. Fretto, S. Kara, S. J. Rezvani, L. Boarino
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	SpringerOpen 2016-10-01
Շարք:	Nanoscale Research Letters
Խորագրեր:	Metal-assisted chemical etching Nanosphere lithography Silicon nanowires Electrical contacts Electron beam lithography Focused ion beam
Առցանց հասանելիություն:	http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-016-1689-x
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!