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EnTiered-ReRAM: An Enhanced Low Latency and Energy Efficient TLC Crossbar ReRAM Architecture

Resistive Random Access Memory (ReRAM) is promising to be employed as high density storage-class memory due to its crossbar array and Triple-Level Cell (TLC) structures. However, TLC crossbar ReRAM suffers from high write latency and energy due to three unique challenges: (1) The crossbar array stru...

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Detalhes bibliográficos
Principais autores: Yang Zhang, Zhibin Yu, Liang Gu, Chengning Wang, Dan Feng
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IEEE 2021-01-01
coleção:IEEE Access
Assuntos:
Acesso em linha:https://ieeexplore.ieee.org/document/9623554/
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