On the impact of the output conductance on high-frequency amplification in graphene transistors

Abstract In contrast to the impressive dynamic current gain and cut-off frequency demonstrated by graphene field-effect transistors (GFETs), which compete with mature high-frequency (HF) technologies, GFETs still stay behind their HF counterparts in terms of power amplification and maximum oscillati...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Alberto Medina-Rull, Pankaj Kumar, Aida Mansouri, Francisco G. Ruiz, Omid Habibpour, Herbert Zirath, Anibal Pacheco-Sanchez, Enrique G. Marin, Wei Wei, Luca Anzi, Amaia Zurutuza, Henri Happy, Roman Sordan, Andrés Godoy, David Jiménez, Francisco Pasadas
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Springer 2026-05-01
Շարք:	Discover Electronics
Խորագրեր:	Amplifier GFET Graphene High frequency Power gain Transconductance
Առցանց հասանելիություն:	https://doi.org/10.1007/s44291-026-00215-w
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!