Theoretical prediction electronic properties of Group-IV diamond nanothreads
We have investigated the atomic and electronic structures, and carrier mobility on Group-IV diamond nanothreads (DNTs-C, DNTs-SiC, DNTs-Si and DNTs-Ge) using density functional theory. It is shown that all of Group-IV diamond nanothreads are wide gap semiconductors (>3eV). The highest electron (hole...
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| Principais autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
AIP Publishing LLC
2018-07-01
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| coleção: | AIP Advances |
| Acesso em linha: | http://dx.doi.org/10.1063/1.5040374 |
| Tags: |
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