Microwave field-effect transistors of medium power in the millimeter wavelength range

The paper presents the results of optimization of the design and fabrication technology of microwave field-effect transistors of medium power with an operating frequency in the range of 18–36 GHz on GaAs epitaxial structures. The output power of the transistors is about 100 mW at 1 dB compression, t...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	A. V. Ivashchuk, V. I. Bosy, V. N. Kovalchuk
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	Politekhperiodika 2003-12-01
Edice:	Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Témata:	microwave field-effect transistors medium power millimeter range gaas noise figure
On-line přístup:	https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1208
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!