Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP
Бар'єри Шоткі (БШ) на основі фосфіду галію (GaP) привертають увагу дослідників як перспективні структури для розробки різного роду радіаційно стійких електронних і електричних приладів, в тому числі високотемпературних приладів, приладів високочастотної силової електроніки, ультрафіолетової (УФ) фот...
Gardado en:
| Principais autores: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2021-05-01
|
| Series: | Екологія, людина, суспільство |
| Assuntos: | |
| Acceso en liña: | https://ecoconference.kpi.ua/article/view/233517 |
| Tags: |
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|