High Pressure Deuterium Passivation of Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
In this study, the deuterium passivation effect of silicon nitride (Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>) on data retention characteristics is investigated in a Metal-Nitride-Oxide-Silicon (MNOS) memory device. To focus on trap passivation in Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> as a charge trapping layer, deuterium...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2021-10-01
|
| தொடர்: | Micromachines |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/2072-666X/12/11/1316 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|