Integration of periodic, sub‐wavelength structures in silicon‐on‐insulator photonic device design

Rapid advances in high‐resolution chip lithography have accelerated nanophotonic device development on the silicon‐on‐insulator (SOI) platform. The ability to create sub‐wavelength features in silicon has attracted research in photonic band and dispersion engineering and consequently made available...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Yannick D'Mello, Orad Reshef, Santiago Bernal, Eslam El‐fiky, Yun Wang, Maxime Jacques, David V. Plant
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Wiley 2020-06-01
Շարք:	IET Optoelectronics
Խորագրեր:	periodic subwavelength structures silicon-on-insulator photonic device design high-resolution chip lithography nanophotonic device development silicon-on-insulator platform subwavelength features
Առցանց հասանելիություն:	https://doi.org/10.1049/iet-opt.2019.0077
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!