650～700℃ LPE生长三元合金In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/（100）Inp
首先用正规溶液模型,在650～700℃间计算了In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As的液相组分。通过实验调整,在653℃、684℃和701℃LPE生长了与（100）InP衬底晶格匹配的非故意掺杂三元合金In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As,并测量了其外延层的载流子浓度、霍尔迁移率和电阻率。684℃生长的外延层具有光滑的表面彤貌,室温下其载流子浓度为3.7×10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,霍尔迁移率为9.07×10<sup>3</sup>cm<sup>2</sup>/v·s,电阻率为0.19Ω—c...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Chinês |
| Publicado em: |
《光通信研究》编辑部
1988-01-01
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| coleção: | Guangtongxin yanjiu |
| Acesso em linha: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1988.03.003 |
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