Pular para o conteúdo
Login Institucional
Idioma
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Māori
தமிழ்
Todos os campos
Autor
Título
Título do Periódico
Assunto
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avançada
P–i–n photodetector with activ...
Gravar e-mail
Gravar e-mail:
P–i–n photodetector with active GePb layer grown by sputtering epitaxy
Para:
Mensagem:
