Citações do registro
Citação APA (7ª ed.)
Guan, H., Shen, G., Liu, S., Jiang, C., & Wu, J. (2023). A Simulation Optimization Factor of Si(111)-Based AlGaN/GaN Epitaxy for High Frequency and Low-Voltage-Control High Electron Mobility Transistor Application. MDPI AG.
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Citação do estilo Chicago (17ª ed.)
Guan, He, Guiyu Shen, Shibin Liu, Chengyu Jiang, e Jingbo Wu. A Simulation Optimization Factor of Si(111)-Based AlGaN/GaN Epitaxy for High Frequency and Low-Voltage-Control High Electron Mobility Transistor Application. MDPI AG, 2023.
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Citação MLA (9ª ed.)
Guan, He, et al. A Simulation Optimization Factor of Si(111)-Based AlGaN/GaN Epitaxy for High Frequency and Low-Voltage-Control High Electron Mobility Transistor Application. MDPI AG, 2023.
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