ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE ÓXIDOS DE GaAs
Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO4, As2O5 y GO3. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de las...
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| Principais autores: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Sprog: | Espanhol |
| Udgivet: |
CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF
2013-09-01
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| Serier: | Anales (Asociación Física Argentina) |
| Online adgang: | https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/1583 |
| Tags: |
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