QR kód

Performance Analysis and Optimization of an InGaAs/GaAsSb Heterojunction Dopingless Tunnel FET with a Heterogate Dielectric

An InGaAs/GaAsSb heterojunction dopingless Tunnel FET with a heterogate dielectric is proposed and investigated in this work, aiming to extend the advantages of dopingless TFETs in low-power applications. By employing the InGaAs/GaAsSb heterojunction with a quasi-broken gap energy band structure in...

Celý popis

Uloženo v:
Hlavní autoři: JunJie Huang, HongXia Liu, Shupeng Chen, Shulong Wang, Chen Chong, Chang Liu
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: MDPI AG 2025-11-01
Edice:Micromachines
Témata:
band-to-band tunneling
InGaAs/GaAsSb heterojunction
dopingless TFET
heterogate dielectric
DC and RF
On-line přístup:https://www.mdpi.com/2072-666X/16/12/1330
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Podobné jednotky