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Physical Model of Low-Temperature to Cryogenic Threshold Voltage in MOSFETs

This article presents a physical model of the threshold voltage in MOSFETs valid down to 4.2 K. Interface traps close to the band edge modify the saturating temperature behavior of the threshold voltage observed in cryogenic measurements. Dopant freezeout, bandgap widening, and uniformly distributed...

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Principais autores: Arnout Beckers, Farzan Jazaeri, Alexander Grill, Subramanian Narasimhamoorthy, Bertrand Parvais, Christian Enz
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IEEE 2020-01-01
coleção:IEEE Journal of the Electron Devices Society
Assuntos:
28-nm bulk CMOS
cryogenic
cryo-CMOS
freezeout
incomplete ionization
interface traps
Acesso em linha:https://ieeexplore.ieee.org/document/9076206/
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