In-Situ Annealing and Hydrogen Irradiation of Defect-Enhanced Germanium Quantum Dot Light Sources on Silicon

While light-emitting nanostructures composed of group-IV materials fulfil the mandatory compatibility with CMOS-fabrication methods, factors such as the structural stability of the nanostructures upon thermal annealing, and the ensuing photoluminescence (PL) emission properties, are of key relevance...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Lukas Spindlberger, Johannes Aberl, Antonio Polimeni, Jeffrey Schuster, Julian Hörschläger, Tia Truglas, Heiko Groiss, Friedrich Schäffler, Thomas Fromherz, Moritz Brehm
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	MDPI AG 2020-04-01
মালা:	Crystals
বিষয়গুলি:	germanium hydrogen quantum dots molecular beam epitaxy defect engineering silicon
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://www.mdpi.com/2073-4352/10/5/351
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!