kod QR

Semiconducting phase of hafnium dioxide under high pressure: a theoretical study by quasi-particle GW calculations

The phase stability of the hafnium dioxide compounds HfO _2 , a novel material with a wide range of application due to its versatility and biocompatibility, is predicted to be achievable by using evolutionary technique, based on first-principles calculations. Herein, the candidate structure of HfO _...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Thipok Bovornratanaraks, Rajeev Ahuja, Prutthipong Tsuppayakorn-aek
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: IOP Publishing 2021-01-01
Seria:Materials Research Express
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://doi.org/10.1088/2053-1591/ac2a98
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!