Ultra-low loss silicon nitride becomes even cooler
Abstract Ultra-low loss silicon nitride realized using deuterated precursors and low thermal budgets well within backend-of-line CMOS processing may accelerate widespread proliferation of their use.
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| Principais autores: | , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Nature Publishing Group
2024-09-01
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| Colecção: | Light: Science & Applications |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1038/s41377-024-01576-1 |
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