Numerical Analysis of Dark Currents in T2SL nBn Detector Grown by MBE on GaAs Substrate
The paper presents the numerical analysis of the performance of the nBn type-II superlattice barrier detector operated at 230 K. Results of theoretical predictions were compared to the experimental data for the nBn detector composed of AlAs<sub>0.15</sub>Sb<sub>0.85</sub> barrier and InAs (5.096 nm)...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
MDPI AG
2019-10-01
|
| Серія: | Proceedings |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.mdpi.com/2504-3900/27/1/37 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|