SiO<sub>2</sub>/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究
在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .
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| Principais autores: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Editorial Department of Journal of Sichuan University (Natural Science Edition)
2001-01-01
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| coleção: | 四川大学学报. 自然科学版 |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://science.scu.edu.cn/thesisDetails?columnId=156425992&Fpath=home&index=0 |
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