Цитування запису:
Стиль цитування APA (7-ме видання)
Kobayashi, T., Fujimoto, H., Kamihata, S., Hachiken, K., Hara, M., & Watanabe, H. (2025). Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H2/Ar gas mixtures. IOP Publishing.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Чикаго стиль цитування (17-те видання)
Kobayashi, Takuma, Hiroki Fujimoto, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, та Heiji Watanabe. Performance and Reliability Improvements in SiC(0001) MOS Devices via Two-step Annealing in H2/Ar Gas Mixtures. IOP Publishing, 2025.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Стиль цитування MLA (9-ме видання)
Kobayashi, Takuma, et al. Performance and Reliability Improvements in SiC(0001) MOS Devices via Two-step Annealing in H2/Ar Gas Mixtures. IOP Publishing, 2025.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.