Nearly Efficiency-Droop-Free AlGaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes with a Specifically Designed Superlattice p-Type Electron Blocking Layer for High Mg Doping Efficiency

Abstract This work reports a nearly efficiency-droop-free AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode (DUV LED) emitting in the peak wavelength of 270 nm. The DUV LED utilizes a specifically designed superlattice p-type electron blocking layer (p-EBL). The superlattice p-EBL enables a high hol...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Zi-Hui Zhang, Sung-Wen Huang Chen, Chunshuang Chu, Kangkai Tian, Mengqian Fang, Yonghui Zhang, Wengang Bi, Hao-Chung Kuo
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	SpringerOpen 2018-04-01
Seria:	Nanoscale Research Letters
Hasła przedmiotowe:	DUV LED Superlattice p-EBL Hole injection Electron leakage Efficiency-droop-free
Dostęp online:	http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-018-2539-9
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!