Analytical Model for Ballistic 2D Nanotransistors
This paper describes device models for the current-voltage (I–V) and capacitance-voltage (C–V) characteristics of ballistic nanotransistors based on two-dimensional (2D) materials. The proposed methodology introduces a novel, fully analytical, and explicit approach grounded in fundamen...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
IEEE
2025-01-01
|
| سلاسل: | IEEE Open Journal of Nanotechnology |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ieeexplore.ieee.org/document/11123147/ |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|