n-MOS Transistor Impact Ionization Boosted by Cumulative Stress Degradation in a 250-nm SiGe BiCMOS Technology
We introduce experimental observations of impact ionization in an n-type MOSFET of a 250 nm SiGe BiCMOS technology when operated under an aging test setup at room temperature. As expected, the electrical basic parameters of the transistor, such as drain current drivability, transconductance, and thr...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
IEEE
2023-01-01
|
| Շարք: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10097852/ |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|