GaAsX射线探测器及其电子辐照改性的研究
研制出了 1种双微带结构的GaAsX射线探测器 ,该种探测器具有良好的探测性能 .通过对本征GaAs探测器和经过 1 6MeV电子辐照的探测器的X脉冲响应的测量 ,及对其响应时间、后沿下降时间和半高宽 (FWHM)的对比研究结果显示 ,经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的改善 .
Gorde:
| Egile Nagusiak: | , , |
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| Formatua: | Artigo |
| Hizkuntza: | Inglês |
| Argitaratua: |
Editorial Department of Journal of Sichuan University (Natural Science Edition)
2001-01-01
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| Saila: | 四川大学学报. 自然科学版 |
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | http://science.scu.edu.cn/thesisDetails?columnId=156425317&Fpath=home&index=0 |
| Etiketak: |
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