High-Efficiency 200-GHz Neutralized Common-Base Power Amplifiers in 250-nm InP HBT
The analysis, design, and measurement of two Indium Phosphide (InP) heterojunction bipolar transistor (HBT) power amplifier (PA) designs are presented at G-band with record efficiency. A pseudo-differential common-base (CB) stage with neutralization capacitors and low-loss coupled-line balun (CLB) i...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
IEEE
2023-01-01
|
| মালা: | IEEE Journal of Microwaves |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10068341/ |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|