Observation of Mobility Above 2000 cm2/V s in 2DEG at LaInO3/BaSnO3 Interface by Electric‐Double‐Layer Gating
Abstract The LaInO3/BaSnO3 heterostructure has recently emerged as a promising platform for realizing 2D electron gas (2DEG) with unique transport properties, including excellent field‐effect at room temperature. However, there is a limit to improving its mobility due to intrinsic defects including...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Wiley-VCH
2025-06-01
|
| মালা: | Advanced Electronic Materials |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://doi.org/10.1002/aelm.202400811 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|