Capacitive Measurements of SiO<sub>2</sub> Films of Different Thicknesses Using a MOSFET-Based SPM Probe
We utilized scanning probe microscopy (SPM) based on a metal-oxide-silicon field-effect transistor (MOSFET) to image interdigitated electrodes covered with oxide films that were several hundred nanometers in thickness. The signal varied depending on the thickness of the silicon dioxide film covering...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2021-06-01
|
| தொடர்: | Sensors |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/1424-8220/21/12/4073 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|