QR Kod

Large Active Area, Low Capacitance Multi-Dot PIN Photodiode in 0.35 m CMOS Technology<inline-formula><tex-math notation="LaTeX"/></inline-formula>

This article presents a multi-dot PIN photodiode structure that addresses the inherent trade-off between the light-sensitive area and capacitance in conventional planar photodiodes commonly used in optical communication systems. This structure is a combination of several connected cathode dots and w...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar: S. S. Kohneh Poushi, B. Goll, K. Schneider-Hornstein, Horst Zimmermann
Materyal Türü: Artigo
Dil:Inglês
Baskı/Yayın Bilgisi: IEEE 2024-01-01
Seri Bilgileri:IEEE Photonics Journal
Konular:
Online Erişim:https://ieeexplore.ieee.org/document/10336890/
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!