Point defects in monolayer WSi2N4 and MoSi2N4
Abstract Point defects critically govern the properties of two-dimensional semiconductors, yet their atomic-scale characteristics in the emerging MoSi2N4 family remain unexplored. Here we combine atomic-resolution scanning transmission electron microscopy and first-principles calculations to systema...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Nature Portfolio
2026-03-01
|
| coleção: | Nature Communications |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1038/s41467-026-70946-7 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|