Hoppa till innehåll
Inloggning för organisationer
Språk
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Māori
தமிழ்
Alla fält
Upphov
Titel
Tidskriftstitel
Ämne
ISBN/ISSN
Tagg
Sök
Avancerad
A simulated fabrication and ch...
Skicka posten per e-post
Skicka posten per e-post:
A simulated fabrication and characterization of a 65 nm floating-gate MOS transistor☆
Mottagare:
Meddelande:
