A New Electron Bridge Channel 1T-DRAM Employing Underlap Region Charge Storage

We experimentally demonstrate a new type of silicon-based capacitorless one-transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) with an electron-bridge channel. The fabrication steps are fully compatible with modern CMOS technology. An underlap device structure is exploited and positive charges are pr...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Jyi-Tsong Lin, Wei-Han Lee, Po-Hsieh Lin, Steve W. Haga, Yun-Ru Chen, Abhinav Kranti
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	IEEE 2017-01-01
Seria:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Hasła przedmiotowe:	Capacitorless 1T-DRAM silicon-on-insulator technology electron-bridge
Dostęp online:	https://ieeexplore.ieee.org/document/7762150/
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!