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Quenching Statistics of Silicon Single Photon Avalanche Diodes

The statistical behavior of silicon-based single-photon-avalanche-diodes (SPADs) is investigated by using self-consistent 3-D Monte Carlo simulations. The coupling of Poisson and Boltzmann transport equations allows us to go beyond the analysis of avalanche breakdown and its timing and to extend the...

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Principais autores: Thibauld Cazimajou, Marco Pala, Jerome Saint-Martin, Remi Helleboid, Jeremy Grebot, Denis Rideau, Philippe Dollfus
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IEEE 2021-01-01
coleção:IEEE Journal of the Electron Devices Society
Assuntos:
Avalanche breakdown
Monte Carlo methods
avalanche photodiodes
Acesso em linha:https://ieeexplore.ieee.org/document/9610136/
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