Análisis de desempeño de conmutadores de microondas serie - paralelo diseñados con diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores
Se presenta un análisis del desempeño de conmutadores de señales microondas tipos serie y paralelo con base en diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores. Los materiales analizados son Si, GaAs, SiC, GaN, InP y GaSb. El conmutador tipo serie diseñado con diodos p-i-n de GaSb, GaAs, Si y G...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолчид: | , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Хэл сонгох: | Inglês |
| Хэвлэсэн: |
Universidad de Antioquia
2011-01-01
|
| Цуврал: | Revista Facultad de Ingeniería Universidad de Antioquia |
| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=43021467019 |
| Шошгууд: |
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
|
