Highly Efficient and Stable Quantum Dot Light-Emitting Diodes Employing Sputtered SnO<sub>2</sub> Layer as Electron Transport Layers
We report a novel approach to fabricating high-performance and robust quantum dot light-emitting diodes (QLEDs) utilizing sputtered SnO<sub>2</sub> thin films as the electron transport layer (ETL). While conventional solution-processed ZnMgO NP ETLs face limitations in mass production, the sputterin...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2025-12-01
|
| Loạt: | Nanomaterials |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2079-4991/16/1/31 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|