QR կոդ

High Performance Single Crystalline Diamond Normally-Off Field Effect Transistors

High performance normally-off hydrogen-terminated diamond (H-diamond) MOSFETs were fabricated on single crystalline diamond grown in our lab. The device with 2-&#x03BC;m gate length shows threshold voltage of -1.0 V, and a drain current of 51.6 mA/mm at V<sub>GS</sub> = V<sub>DS</sub> = -4.5 V and a...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակներ: Zeyang Ren, Wanjiao Chen, Jinfeng Zhang, Jincheng Zhang, Chunfu Zhang, Guansheng Yuan, Kai Su, Zhiyu Lin, Yue Hao
Ձևաչափ: Artigo
Լեզու:Inglês
Հրապարակվել է: IEEE 2019-01-01
Շարք:IEEE Journal of the Electron Devices Society
Խորագրեր:
Single crystalline diamond
normally-off
MOSFET
Առցանց հասանելիություն:https://ieeexplore.ieee.org/document/8531777/
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր