Фотолюминесценция сверхрешеток GaPNAs/GaP(N) и объемных слоев GaPN на подложках GaP
Добавление нескольких процентов азота в GaP или GaPAs позволяют получить твердые растворы GaPNAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с кремниевой подложкой в большом диапазоне значений ширины запрещенной зоны, что дает возможность получения оптоэлектронных кремниевых интегральных схе...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Voronezh State University
2024-10-01
|
| coleção: | Конденсированные среды и межфазные границы |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/12224/12394 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|