Theoretical Investigation of Responsivity/NEP Trade-off in NIR Graphene/Semiconductor Schottky Photodetectors Operating at Room Temperature

In this work we theoretically investigate the responsivity/noise equivalent power (NEP) trade-off in graphene/semiconductor Schottky photodetectors (PDs) operating in the near-infrared regime and working at room temperature. Our analysis shows that the responsivity/NEP ratio is strongly dependent on...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Teresa Crisci, Luigi Moretti, Maurizio Casalino
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2021-04-01
தொடர்:	Applied Sciences
பொருள்கள்:	graphene silicon photodetectors internal photoemission effect near-infrared
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2076-3417/11/8/3398
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!