绝缘子污闪性能与污秽度表示方法的关系
介绍了用固体污层法,在盐密分别为0.05、0.1、0.2和0.4mg/cm<sup>2</sup>时,对4种绝缘子进行的人工污秽试验。分别用升压法和升降法测量了绝缘子的污闪电压,另外对不均匀人工染污绝缘子XWP—70和自然染污绝缘子XWP—60也进行了试验。对绝缘子的污秽度的测量,除等值盐密外还测量了积分电导率、临闪前最大泄漏电流和局部电导率。这样就得出了不同绝缘子在相同条件下以不同污秽度表示的性能曲线,由此可以明显地看出绝缘子性能的优劣以及污秽度表示方法的等价性。
Tallennettuna:
| Päätekijät: | , |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Artigo |
| Kieli: | Chinês |
| Julkaistu: |
Editorial Department of Insulators and Surge Arresters
1991-01-01
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| Sarja: | Dianci bileiqi |
| Aiheet: | |
| Linkit: | http://www.dcblq.com/thesisDetails#10.16188/j.isa.1003-8337.1991.02.002 |
| Tagit: |
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