Numerical modeling of InGaAs/AlGaAs heterostructure for short-wave infrared nBn photodetectors
nBn infrared photodetectors have emerged as a strong alternative to conventional pn and pin-based structures due to their low dark current, fast response, and suppression of Shockley–Read–Hall (SRH) generation pathways. In this study, an InP-based InGaAs/AlGaAs/InGaAs nBn heterostructure was designe...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
EDP Sciences
2026-01-01
|
| Loạt: | Journal of the European Optical Society-Rapid Publications |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://jeos.edpsciences.org/articles/jeos/full_html/2026/01/jeos20250107/jeos20250107.html |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|