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Latent tracks of swift Bi ions in Si3N4

Parameters such as track diameter and microstruture of latent tracks in polycrystalline Si _3 N _4 induced by 710 MeV Bi ions were studied using TEM and XRD techniques, and MD simulation. Experimental results are considered in terms of the framework of a ‘core–shell’ inelastic thermal spike (i-TS) m...

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Principais autores: A Janse van Vuuren, A Ibrayeva, R A Rymzhanov, A Zhalmagambetova, J H O’Connell, V A Skuratov, V V Uglov, S V Zlotski, A E Volkov, M Zdorovets
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IOP Publishing 2020-01-01
coleção:Materials Research Express
Assuntos:
swift heavy ions
latent tracks
electron microscopy
x-ray diffraction
molecular dynamics simulation
Acesso em linha:https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab72d3
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