Improved tunnel magnetoresistance by double-barrier magnetic tunnel junctions with a layered antiferromagnet material

The angle-dependent tunnel magnetoresistance (TMR) is studied in double-barrier magnetic tunnel junctions with a central layered antiferromagnet (DB-MTJs-AF). The study utilizes a tight-binding model to compute the transmission function via the non-equilibrium Green’s function method, incorporating...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Nader Ghobadi, Reza Daqiq, Seyed Ali Hosseini Moradi
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Elsevier 2025-03-01
Շարք:	Results in Physics
Խորագրեր:	Layered antiferromagnet Tunnel magnetoresistance Double-barrier magnetic tunnel junctions
Առցանց հասանելիություն:	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211379725000658
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!