Antiferromagnetic CuMnAs multi-level memory cell with microelectronic compatibility
Devices based on antiferromagnetic materials have advantages of robustness to external magnetic fields and the potential for ultrafast operation. Here the authors present a multilevel antiferromagnetic memory cell that can be operated using standard electronic interfaces.
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| Principais autores: | , , , , , , , , , , , , |
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| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Nature Portfolio
2017-05-01
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| Colecção: | Nature Communications |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1038/ncomms15434 |
| Tags: |
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