QR குறியீடு

Temperature Characterization of Unipolar-Doped Electroluminescence in Vertical GaN/AlN Heterostructures

An electroluminescence (EL) phenomenon in unipolar-doped GaN/AlN/GaN double-barrier heterostructures—without any p-type contacts—was investigated from 4.2 K to 300 K. In the range of 200–300 K, the extracted peak photon energies agree with the Monemar formula. In the range of 30 to 200 K, the photon...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:
முதன்மை ஆசிரியர்கள்: Weidong Zhang, Tyler A. Growden, Paul R. Berger, David F. Storm, David J. Meyer, Elliott R. Brown
வடிவம்: Artigo
மொழி:Inglês
வெளியிடப்பட்டது: MDPI AG 2021-10-01
தொடர்:Energies
பொருள்கள்:
GaN/AlN
electroluminescence
unipolar
holes
interband tunneling
exciton emission
ஆன்லைன் அணுகல்:https://www.mdpi.com/1996-1073/14/20/6654
குறிச்சொற்கள்: குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும்
டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

ஒத்த வளங்கள்