A Low-Power Ultrawideband Low-Noise Amplifier in 0.18 μm CMOS Technology
This paper presents an ultrawideband low-noise amplifier chip using TSMC 0.18 μm CMOS technology. We propose a UWB low noise amplifier (LNA) for low-voltage and low-power application. The present UWB LNA leads to a better performance in terms of isolation, chip size, and power consumption for low su...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Wiley
2013-01-01
|
| סדרה: | Active and Passive Electronic Components |
| גישה מקוונת: | http://dx.doi.org/10.1155/2013/953498 |
| תגים: |
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|