High-efficiency SOI-based metalenses at telecommunication wavelengths
We demonstrated silicon-on-insulator (SOI)-based high-efficiency metalenses at telecommunication wavelengths that are integrable with a standard 220 nm-thick silicon photonic chip. A negative electron-beam resist (ma-N) was placed on top of the Si nanodisk, providing vertical symmetry to realize hig...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Wiley
2022-10-01
|
| سلاسل: | Nanophotonics |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://doi.org/10.1515/nanoph-2022-0480 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|