UNBINDING OF SURFACE DEFECTS UNDER THE DEFECT-SELECTIVE ADSORPTION
Unbinding of surface topological defects in the presence of the defect-selective adsorption is investigated using a coupled Coulomb Gas - Lattice Gas model. The unbinding temperature increases with the increasing selectivity (and coverage) for both, sign-dependent and sign-independent adsorption. In...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Yukhnovskii Institute for Condensed Matter Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine
2003-01-01
|
| Loạt: | Condensed Matter Physics |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://dx.doi.org/10.5488/CMP.6.3.541 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|