Self -Phase Modulation of Silicon Nanostructure Produced by Laser Induced Etching
A diode lasers of 532nm and 473nm wavelengths were used to produce silicon nanostructure by laser induced etching process for n-type silicon wafer of orientation <100>. The laser irradiation was carried out using different laser power density of (2, 5, 10 and 20 W/cm2 for recorder radiation time (4...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Al-Nahrain Journal for Engineering Sciences
2017-01-01
|
| Loạt: | مجلة النهرين للعلوم الهندسية |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://nahje.com/index.php/main/article/view/55 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|