Gamma-Irradiation-Induced Electrical Characteristic Variations in MoS₂ Field-Effect Transistors with Buried Local Back-Gate Structure

The impact of radiation on MoS₂-based devices is an important factor in the utilization of two-dimensional semiconductor-based technology in radiation-sensitive environments. In this study, the effects of gamma irradiation on the electrical variations in MoS₂ field-effect trans...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Su Jin Kim, Seungkwon Hwang, Jung-Dae Kwon, Jongwon Yoon, Jeong Min Park, Yongsu Lee, Yonghun Kim, Chang Goo Kang
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2024-08-01
سلاسل:	Nanomaterials
الموضوعات:	MoS<sub>2</sub> two-dimensional materials buried local back-gate gamma irradiation field-effect transistor
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2079-4991/14/16/1324
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!