Topological edge states in single- and multi-layer Bi4Br4
Topological edge states at the boundary of quantum spin Hall (QSH) insulators hold great promise for dissipationless electron transport. The device application of topological edge states has several critical requirements for QSH insulator materials, e.g. a large band gap, appropriate insulating subs...
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| Principais autores: | , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IOP Publishing
2015-01-01
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| coleção: | New Journal of Physics |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1088/1367-2630/17/1/015004 |
| Tags: |
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